RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 12, страницы 1111–1116 (Mi qe16284)

Активные среды

О влиянии локального колебания на спектральные и лазерные характеристики F2--центров окраски в кристаллах LiF при низких температурах

А. Г. Папашвили, С. Н. Сметанин, М. Е. Дорошенко

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: В результате исследований спектральных и лазерных свойств кристалла LiF:F2- при низких температурах выявлено электронно-колебательное взаимодействие электронов F2--центра с локальным колебанием F2--центра, происходящее на фоне взаимодействия между электронами F2--центров и фононами кристаллической решетки. Взаимодействие электронов с локальным колебанием проявляется в спектрах наличием узких линий, налагающихся на широкие электрон-фононные линии взаимодействия электронов с кристаллической решеткой. Также обнаружено аномальное поведение спектральных линий генерации LiF:F2--лазера при температуре жидкого азота и селективном возбуждении, что объясняется различием вероятностей решеточного и локального взаимодействий.

Ключевые слова: F2--центр окраски, электронно-колебательное взаимодействие, локальное колебание.

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 63.20.kd

Поступила в редакцию: 24.03.2015
Исправленный вариант: 02.07.2015


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:12, 1111–1116

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024