RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 12, страницы 1091–1097 (Mi qe16292)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Лазеры

Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров

В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены теоретические и экспериментальные исследования поверхностных дифракционных решеток высокого порядка дифракции, выполняющих роль распределенного брэгговского зеркала (РБЗ) в полупроводниковых лазерах (λ=1030 нм) мезаполосковой конструкции. Установлено, что интерферирующие моды излучения высших порядков (ИМИВП), распространяющиеся вне плоскости волновода, оказывают определяющее влияние на спектры отражения и пропускания РБЗ. Снижение коэффициента отражения РБЗ, связанное с повышением дифракционной эффективности данных мод, может составлять 80% и более. Теоретически показано, что интенсивность ИМИВП определяется геометрической формой штриха РБЗ. Экспериментально продемонстрировано, что данные нерезонаторные моды излучения обусловливают паразитные оптические потери на выход в резонаторе лазера. Получено, что при неоптимальной геометрической форме штриха суммарная внешняя квантовая дифференциальная интенсивность паразитного лазерного излучения может превышать 45%, что составляет больше половины генерируемой оптической мощности. Приведена оптимальная геометрическая форма штриха РБЗ – трапециевидная с минимальной шириной основания клина в глубине штриха. Экспериментально показано, что при такой геометрии происходит существенное снижение мощности ИМИВП и обеспечивается минимизация паразитных оптических потерь на выход.

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, распределенная обратная связь, брэгговские решетки.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.82.Gw

Поступила в редакцию: 04.06.2015
Исправленный вариант: 31.08.2015


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:12, 1091–1097

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024