И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 447

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al_0.45Ga_0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии

И. И. Засавицкий^ab, А. Н. Зубов^ab, А. Ю. Андреев^c, Т. А. Багаев^c, П. В. Горлачук^c, М. А. Ладугин^c, А. А. Падалица^c, А. В. Лобинцов^c, С. М. Сапожников^c, А. А. Мармалюк^bc

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
^c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: На основе гетеропары GaAs/Al_0.45Ga_0.55As создан квантовый каскадный лазер, излучающий в области длин волн 9.5 – 9.7 мкм в импульсном режиме при 77.4 К. Лазерная гетероструктура была выращена методом МОС-гидридной эпитаксии. Пороговая плотность тока составила 1.8 кА/см². Максимальная мощность излучения лазера с размерами 30 мкм × 3 мм и сколотыми зеркалами превысила 200 мВт.

Ключевые слова: квантовый каскадный лазер, МОС-гидридная эпитаксия, гетеропара GaAs/AlGaAs, средняя ИК область спектра.

Поступила в редакцию: 20.02.2016