RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 29, номер 3, страницы 189–190 (Mi qe1642)

Письма в редакцию

Двухмодовый лазер на центрах окраски с диодной накачкой и внутрирезонаторной метановой поглощающей ячейкой

М. А. Губин, А. Н. Киреев, Е. В. Ковальчук, Д. А. Тюриков

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Создан двухмодовый лазер на центрах окраски в кристалле RbCl:Li с накачкой несколькими лазерными диодами. Область перестройки составила 2.7 — 3.28 мкм. Использование лазера с внутрирезонаторной поглощающей метановой ячейкой позволило наблюдать резонансы насыщенной дисперсии на линиях R-ветви полосы v3 молекулы метана со спектральным разрешением 300 кГц.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.62.Eh

Поступила в редакцию: 11.10.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:12, 1027–1028

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024