Аннотация:
Исследован лазер на монокристалле ZnS : Fe2+ при комнатной температуре активного элемента. Накачка кристалла осуществлялась нецепным электроразрядным HF-лазером с длительностью светового импульса на полувысоте ~140 нс. Диаметр пятна излучения накачки на поверхности кристалла (d) варьировался в пределах 3.9 – 11.6 мм. Значения дифференциальной эффективности лазера при этих d составили 37% – 39% соответственно. Получена максимальная энергия генерации 380 мДж (при d = 11.6 мм) с полной эффективностью по поглощенной в кристалле энергии накачки ~19%. Дальнейшему увеличению энергии генерации препятствовало разрушение кристалла при энергии и мощности падающей на его поверхность накачки 3.4 Дж и ~24 МВт соответственно. Разрушение имело вид длинного узкого канала, смещенного от входной поверхности в глубь активного элемента.