М. В. Богданович, В. П. Дураев, В. С. Калинов, О. Е. Костик, К. И. Ланцов, К. В. Лепченков, В. В. Машко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, Л. Л. Тепляшин, “Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля”, Квантовая электроника, 46:10 (2016), 870

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры, активные среды лазеров

Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля

М. В. Богданович^a, В. П. Дураев^b, В. С. Калинов^a, О. Е. Костик^a, К. И. Ланцов^a, К. В. Лепченков^a, В. В. Машко^a, А. Г. Рябцев^a, Г. И. Рябцев^a, Л. Л. Тепляшин^a

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b ЗАО "Нолатех", г. Москва

Аннотация: Описан моноимпульсный Nd : YAG-лазер с мощной поперечной диодной накачкой и инжекцией затравочного излучения, генерируемого одночастотным полупроводниковым лазерным модулем. Пороговая мощность затравочного излучения инжектора, при которой моноимпульсный Nd : YAG-лазер переключается в режим одночастотной генерации, составляет 0.44 мВт (интенсивность излучения 5.6 × 10^-2 Вт/см²). С увеличением мощности излучения инжектора спектральные и мощностные характеристики излучения моноимпульсного лазера практически не изменяются при постоянном уровне возбуждения его активной среды. Спектральная ширина линии генерации Nd : YAG-лазера в моноимпульсном режиме с инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля TLD-1060-14BF не превышает 90 МГц (длина волны 1064 нм).

Ключевые слова: твердотельный лазер, диодная накачка, полупроводниковый лазерный модуль, инжекция узкополосного излучения.

Поступила в редакцию: 22.06.2016