А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 272

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Лазеры

Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами

А. А. Мармалюк^ab, Ю. Л. Рябоштан^a, П. В. Горлачук^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
^c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Созданы лазерные диоды на основе гетероструктур AlGaInAs / InP со сверхузким волноводом. Показано, что применение такого волновода при использовании профильного легирования обеспечивает баланс между внутренними оптическими потерями и тепловым сопротивлением. Лазерные диоды с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали при комнатной температуре выходную оптическую мощность свыше 4 Вт в непрерывном и свыше 20 Вт в импульсном режиме работы.

Ключевые слова: гетероструктура AlGaInAs / InP, МОС-гидридная эпитаксия, лазерный диод, безопасная для глаз область спектра.

Поступила в редакцию: 30.01.2017