RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 199–205 (Mi qe16572)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения

Рост эмиттанса при лазерно-плазменном ускорении электронов в направляющих структурах

М. Е. Вейсманa, С. В. Кузнецовa, Н. Е. Андреевab

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.

Аннотация: Проведено исследование угловых характеристик – эмиттанса и доли электронов, вылетающих в заданный телесный угол, для сгустков электронов, ускоряемых в кильватерных полях, генерируемых в различных направляющих структурах – капиллярных волноводах и плазменных каналах, по которым распространяются интенсивные лазерные импульсы. Исследование проведено при различных энергиях инжекции, моделирующих условия на входе в различные каскады многокаскадного ускорителя электронов. Показано, что в отличие от ограничений, определяющихся требованием захвата и ускорения значительной доли электронов сгустка, условие сохранения низкого эмиттанса сгустка, необходимое для успешной передачи ускоренного сгустка на вход следующего ускорительного каскада или другого устройства, налагает на порядок более жесткие ограничения на точность фокусировки лазерного излучения в направляющую структуру.

Ключевые слова: ускорение электронов, кильватерные поля, плазменные каналы, капиллярные волноводы, эмиттанс.

Поступила в редакцию: 06.02.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:3, 199–205

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024