RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 222–227 (Mi qe16581)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения

Классическая модель перерассеяния электрона в полях интенсивного инфракрасного и слабого высокочастотного импульсов излучения

А. В. Флегельa, М. В. Фроловba, А. Н. Желтухинb, Н. В. Введенскийb

a Воронежский государственный университет
b Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследуется влияние слабого высокочастотного (в области вакуумного ультрафиолета (ВУФ)) лазерного импульса на механизм перерассеяния электрона на родительском ионе в процессах генерации высших гармоник и надпороговой ионизации, индуцированных интенсивным ИК лазерным полем. Обсуждаются два сценария трехступенчатой картины перерассеяния: с поглощением ВУФ-фотона на этапе ионизации атома и с поглощением/излучением ВУФ-фотона в момент рекомбинации или рассеяния возвращенного ИК полем электрона к родительскому иону. Получены оценки для положений обрыва высокоэнергетичного плато в спектрах генерации гармоник и надпороговой ионизации.

Ключевые слова: генерация высших гармоник, надпороговая ионизация, классическая модель перерассеяния, сильное лазерное поле, аналитические теории.

Поступила в редакцию: 09.02.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:3, 222–227

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024