М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 291

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Письма

Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%

М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, А. А. Падалица^a, Т. А. Багаев^a, А. Ю. Андреев^a, К. Ю. Телегин^a, А. В. Лобинцов^a, Е. И. Давыдова^a, С. М. Сапожников^a, А. И. Данилов^a, А. В. Подкопаев^a, Е. Б. Иванова^a, В. А. Симаков^a

^a АО "НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: Представлены результаты разработки и создания линеек лазерных диодов (λ = 800 – 810 нм) на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с высоким коэффициентом полезного действия. Повышение внутренней квантовой и внешней дифференциальной эффективности, снижение рабочего напряжения и последовательного сопротивления позволили в совокупности улучшить выходные параметры полупроводникового излучателя, работающего в квазинепрерывном режиме накачки. Выходная мощность для линеек лазерных диодов с поперечной длиной (протяженностью) 5 мм достигала 210 Вт, а КПД был ~70 %.

Ключевые слова: линейки лазерных диодов, КПД, квантоворазмерные гетероструктуры, МОС-гидридная эпитаксия, AlGaAs/GaAs.

Поступила в редакцию: 17.03.2017