RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 6, страницы 528–532 (Mi qe16628)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Ионизационная реакция в полупроводниковых структурах при облучении рентгеновским излучением фемтосекундного лазерно-плазменного источника

А. И. Чумаковab, М. П. Беловаb, Л. Н. Кессаринскийa, А. Я. Борисовa, К. А. Ивановcde, И. Н. Цымбаловce, Р. В. Волковce, А. Б. Савельевce, Л. И. Галанинаf, Н. П. Чирскаяf, Л. С. Новиковf

a ЭНПО "СПЭЛС", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
c Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
f Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Проанализированы возможности применения фемтосекундного лазерно-плазменного источника рентгеновского излучения для моделирования эффектов воздействия отдельных ядерных частиц на основе принципа генерации эквивалентного заряда. Обоснованы параметры воздействия рентгеновского излучения фемтосекундной длительности для экспериментального моделирования одиночных радиационных эффектов. Описана экспериментальная установка, формирующая рентгеновское излучение. Представлены результаты сравнительного моделирования ионизационной реакции в простых электронных изделиях с помощью кодов FLUKA и GEANT.

Ключевые слова: рентгеновское излучение, фемтосекундная лазерная плазма, одиночные радиационные эффекты, микроэлектронные изделия.

Поступила в редакцию: 17.03.2017
Исправленный вариант: 11.05.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:6, 528–532

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024