Д. В. Гузатов, В. В. Климов, “Влияние слоистых наноструктур на ширину линии запрещенных Е2-переходов”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 730

Эта публикация цитируется в 1 статье

Наноструктуры

Влияние слоистых наноструктур на ширину линии запрещенных Е2-переходов

Д. В. Гузатов^a, В. В. Климов^bcd

^a Гродненский государственный университет им. Я. Купалы
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^c Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
^d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: В рамках классической электродинамики получены и исследованы аналитические выражения для ширины линии запрещенных Е2-переходов в атоме (молекуле), расположенном вблизи слоистых металлодиэлектрических наноструктур. Показано, что интенсивность излучения на запрещенном переходе при детектировании в полупространстве за слоистой наноструктурой может значительно превышать интенсивность при детектировании в полупространстве, где расположен атом (молекула).

Ключевые слова: спонтанное излучение, запрещенный Е2-переход, ширина линии, анизотропный метаматериал, гиперболический закон дисперсии.

Поступила в редакцию: 27.04.2017