RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 10, страницы 915–921 (Mi qe16697)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Эволюция во времени функции распределения стохастически нагреваемых релятивистских электронов в поле лазерного излучения пикосекундной длительности

Л. А. Борисенко, Н. Г. Борисенко, Ю. А. Михайлов, А. С. Орехов, Г. В. Склизков, А. М. Чекмарёв, А. А. Шапкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Проведен численный анализ стохастического ускорения электронов, вызываемого случайным изменением фазы силы, действующей на электрон. Основным источником случайности является случайное пространственное распределение электромагнитных полей в фокальной области многомодового лазерного излучения. Характерная частота случайного изменения фазы при максимальном влиянии рассматриваемого эффекта находится в области (0.25–0.5)ν (ν – частота излучения неодимового лазера). Предложена удобная для расчетов модель волнового пакета с учетом излучательных переходов иона неодима. Рассчитана зависимость средней энергии релятивистских электронов от плотности потока в диапазоне 1015–1018 Вт/см2. Найдена зависимость средней энергии электронов от времени в течение лазерного импульса в виде аппроксимационных формул. Определено характерное время развития стохастического нагрева электронов. Обнаружено, что процесс стохастического ускорения слабо зависит от длительности лазерного импульса, когда она превышает несколько сотен периодов электромагнитной волны.

Ключевые слова: лазерная плазма, стохастический нагрев электронов, функции распределения электронов.

Поступила в редакцию: 12.05.2017
Исправленный вариант: 18.07.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:10, 915–921

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024