RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 11, страницы 1017–1022 (Mi qe16718)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерно-индуцированная модификация графена в присутствии этанола на границе графен–подложка

П. А. Пивоваровab, В. Д. Фроловab, Е. В. Заведеевab, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: Исследовано влияние замещения водного адсорбата на границе CVD-графен – SiO2 /Si-подложка органическим веществом (этанолом) на процесс лазерно-индуцированной модификации графена и графеновых структур на пленке SiO2. Методами сканирующей зондовой микроскопии проведен анализ изменений электронных свойств графеновых структур на гидрофильной подложке в присутствии спирта и при локальном лазерно-индуцированном пространственном перераспределении водно-спиртового адсорбата на указанной границе. Экспериментально показано, что замещение водного адсорбата этанолом приводит к повышению поверхностного потенциала графена, что эквивалентно уменьшению работы выхода, относительно исходного уровня в нормальных условиях при относительной влажности воздуха 30%–60%. В зоне лазерного воздействия наблюдается дополнительное локальное увеличение поверхностного потенциала на 30–50 мВ. Таким образом, этанол позволяет варьировать лазерно-индуцированные электронные свойства графена на подложке. Наряду с этим обнаружено, что интеркаляция молекул этанола приводит к заметной временной нестабильности физических свойств сформированных локальным лазерным облучением графеновых структур. Продемонстрирована возможность "перезаписи" импульсным низкоинтенсивным лазерным излучением микрообластей с измененным поверхностным потенциалом в присутствии этанола.

Ключевые слова: графен, водный адсорбат, этанол, лазерное воздействие, электронные свойства графена.

Поступила в редакцию: 07.08.2017
Исправленный вариант: 26.09.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:11, 1017–1022

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024