Теоретическое исследование влияния толщины барьера на оптические свойства полупроводникового устройства для замедления света на множественных квантовых ямах
Аннотация:
Дано объяснение влияния толщины барьера на функционирование устройств для замедления света на множественных квантовых ямах (МКЯ) в GaAs /AlGaAs как следствие влияния когерентных осцилляций населенности на фактор замедления и ширину полосы таких устройств. Для анализа и моделирования устройств для замедления света использовались уравнения Блоха и аналитическая модель в пространстве дробной размерности. Показано, что другие физические параметры структур на МКЯ (ширина квантовой ямы и концентрация примеси в барьере) также оказывают заметное влияние на оптические свойства устройства. Предложенные подходы позволяют получить устройство с желаемыми значениями фактора замедления и центральной частоты путем подбора толщины барьера, ширины квантовой ямы и содержания алюминия. Максимальный диапазон перестройки частоты составил в наших расчетах ~1 ТГц, а фактор замедления достигал 8.5 × 104.