RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 3, страницы 244–250 (Mi qe16782)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Влияние поглощающего покрытия на абляцию алмаза лазерными ИК импульсами

Т. В. Кононенкоab, П. А. Пивоваровa, А. А. Хомичac, Р. А. Хмельницкийacde, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Фрязино, Московская обл.
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
e АО "ГНЦ РФ Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований", г. Москва, г. Троицк

Аннотация: Исследована возможность повышения производительности и качества лазерной абляционной микрообработки алмаза путем предварительного создания на его поверхности поглощающего слоя. Поликристаллический алмаз, на поверхности которого был сформирован тонкий слой титана или графита, облучался на длине волны 1030 нм импульсами длительностью 1 пс и 10 нс. Анализировались динамика роста глубины кратера в зависимости от числа импульсов и изменение оптического пропускания аблируемой поверхности. Установлено, что при облучении пикосекундными импульсами предварительная графитизация поверхности позволяет избежать лазерно-индуцированного повреждения внутреннего объема алмаза до возникновения самоподдерживающегося графитизированного слоя. Значительно больший эффект поглощающее покрытие (как титановое, так и графитовое) оказывает на абляцию алмаза наносекундными импульсами, поскольку более чем на порядок снижает порог абляции и позволяет полностью исключить лазерно-индуцированное повреждение глубинных областей алмаза и неконтролируемую взрывную абляцию в приповерхностном слое.

Ключевые слова: лазерная абляция, микроструктурирование, алмаз, поглощающее покрытие.

Поступила в редакцию: 07.11.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:3, 244–250

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024