В. В. Петров, Г. В. Купцов, В. А. Петров, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Оптимизация мультидискового криогенного усилителя высокоинтенсивной лазерной системы с высокой частотой следования импульсов”, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 358

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Оптимизация мультидискового криогенного усилителя высокоинтенсивной лазерной системы с высокой частотой следования импульсов

В. В. Петров^abc, Г. В. Купцов^ab, В. А. Петров^ca, А. В. Лаптев^a, А. В. Кирпичников^a, Е. В. Пестряков^ab

^a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
^c Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Проведена модификация кристаллодержателей активных элементов мультидискового многопроходного усилителя с безжидкостным замкнутым циклом криогенного охлаждения. Экспериментально исследованы зависимости равновесной температуры активных элементов от мощности диодной накачки для модифицированных кристаллодержателей, а также зависимость коэффициента усиления от температуры активных элементов. Получено усиление слабого сигнала с коэффициентом до 1.2 за один проход через активный элемент.

Ключевые слова: диодная накачка, лазерная система с высокой пиковой мощностью, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель.

Поступила в редакцию: 16.02.2018