Аннотация:
Получена лазерная генерация при комнатной температуре в кристалле Fe : ZnSe, установленном в качестве пассивного затвора в резонаторе Er : YLF-лазера с диодной накачкой. Минирезонатор Fe : ZnSe-лазера был образован прижатыми к оптическим поверхностям кристалла зеркалами с большими коэффициентами отражения для λ = 4–4.5 мкм и большими коэффициентами пропускания для линий генерации Er : YLF-лазера. Внутри резонатора Er : YLF-лазера генерировались короткие импульсы излучения длительностью ~100 нс на λ = 2.65 мкм, вызванные пассивной модуляцией добротности резонатора кристаллом Fe : ZnSe. Поглощение излучения Er : YLF-лазера в кристалле Fe : ZnSe приводило к накачке Fe : ZnSe-лазера, который генерировал импульсы излучения длительностью менее 50 нс с энергией ~0.5 мкДж на λ = 4.2 мкм. Лазер работал в импульсно-периодическом режиме накачки с частотой следования импульсов до 200 Гц.
Ключевые слова:средний инфракрасный диапазон, кристаллы А2В6, Fe : ZnSe-лазер, Er : YLF-лазер, пассивная модуляция добротности, внутрирезонаторная накачка.
Поступила в редакцию: 08.05.2018 Исправленный вариант: 24.05.2018