Поверхностная локализация лазерной фотоэлектронной эмиссии с помощью структуры из тонких пленок Cu2O и Ag

На основе тонких пленок Ag и Cu₂O, последовательно нанесенных магнетронным напылением на подложку из стекла, создан локализованный на поверхности фотокатода лазерный источник электронов. Фотоэмиссия электронов под действием четвертой гармоники (263 нм) фемтосекундного волоконного лазера осуществлялась с поверхности пленки Ag, нанесенной на поверхность подложки. Локализация источника фотоэлектронов на поверхности фотокатода обеспечивалась напылением на его поверхность пленки из оксида меди Cu₂O, значительно (примерно в 50 раз) уменьшающим эффективность фотоэмиссии, и последующим удалением слоя оксида меди в пятне фотоэмиссии диаметром ~15 мкм с помощью сфокусированного лазерного излучения второй гармоники фемтосекундного волоконного лазера. При проведении исследований на поверхности фотокатода создавалась сетка из пятен фотоэмиссии, которая позволяла значительно облегчить совмещение лазерного пучка с пятном фотоэмиссии. Экспериментально продемонстрировано уменьшение шумов ультрабыстрого просвечивающего электронного микроскопа, связанных с пространственными флуктуациями лазерного пучка, осуществляющего импульсную фотоэлектронную эмиссию с фотокатода микроскопа, при использовании локализованного источника электронов на основе структуры из тонких пленок Cu₂O и Ag.