RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 10, страницы 902–905 (Mi qe16914)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Квантовые технологии

Генерация узкополосных однофотонных состояний при спонтанном параметрическом рассеянии для квантовой памяти в примесных кристаллах

Д. О. Акатьев, И. З. Латыпов, А. В. Шкаликов, А. А. Калачев

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Федерального исследовательского центра «Казанский научный центр РАН»

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований генерации узкополосных однофотонных состояний при спонтанном параметрическом рассеянии в кристалле PPLN в резонаторе. Продемонстрирована возможность условного приготовления одиночных фотонов с длиной волны 867 нм и спектральной шириной 70 МГц, пригодных для записи в устройствах оптической квантовой памяти на основе изотопически чистых кристаллов Y7LiF4, легированных ионами Nd3+.

Ключевые слова: однофотонный источник, спонтанное параметрическое рассеяние, резонатор.

Поступила в редакцию: 31.07.2018


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:10, 902–905

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024