RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 4, страницы 358–361 (Mi qe17021)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Бесконтактный метод исследования температуры в активном элементе мультидискового криогенного усилителя

В. В. Петровabc, Г. В. Купцовabc, А. И. Ноздринаac, В. А. Петровac, А. В. Лаптевa, А. В. Кирпичниковa, Е. В. Пестряковab

a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Разработан и экспериментально реализован новый оригинальный метод, позволяющий бесконтактно измерять температурные поля в области накачки активных элементов лазерных усилителей с мощной диодной накачкой, в том числе работающих при криогенных температурах. Промоделировано и экспериментально подтверждено наличие градиента температуры вдоль оси пучка излучения накачки величиной ~57 К/мм в центре активного элемента лазерного блока усиления, работающего при криогенных температурах с частотой следования импульсов до 1 кГц.

Ключевые слова: диодная накачка, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель, лазерная термометрия.

Поступила в редакцию: 19.02.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:4, 358–361

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024