Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами

Проведено сравнительное экспериментальное исследование суперлюминесцентных диодов (СЛД), активные слои которых содержат одну, две или три квантовых ямы шириной около 5.0 нм каждая, симметрично расположенные в световедущем слое. Показано, что увеличение числа ям приводит к сужению спектра суперлюминесценции и ослаблению зависимости его ширины от уровня накачки. При этом степень поляризации выходного излучения заметно возрастает. В частности, реализованы обладающие достаточно высокой надежностью мощные узкополосные СЛД со спектральной полушириной менее 8 нм и поляризационным отношением ТЕ/ТМ, превышающим 20 дБ.