Квантовая электроника,
2019 , том 49, номер 9, страницы 801–803
(Mi qe17118)
Эта публикация цитируется в
1 статье
Письма
РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
В. В. Дюделев a ,
Д. А. Михайлов b ,
Д. В. Чистяков c ,
Е. А. Когновицкая ab ,
А. В. Лютецкий a ,
С. О. Слипченко a ,
Н. А. Пихтин a ,
А. Г. Гладышев d ,
Д. В. Денисов b ,
К. О. Воропаев ef ,
А. С. Ионов e ,
А. В. Бабичев cd ,
И. И. Новиков acd ,
Л. Я. Карачинский acd ,
В. И. Кучинский a ,
А. Ю. Егоров c ,
Г. С. Соколовский a a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И.Ульянова (Ленина)
c Университет ИТМО, г. С.-Петербург
d ООО "Коннектор Оптикс", г. С.-Петербург
e АО ''ОКБ-Планета'', Великий Новгород, Россия
f Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого
Аннотация:
Разработана технология создания полупроводниковых лазеров с распределённой обратной связью с высоким коэффициентом обратной связи для спектральной области 1.55 мкм. Продемонстрирована устойчивая одночастотная генерация в широком диапазоне температур. Максимальный коэффициент подавления боковых мод составил более 30 дБ.
Ключевые слова:
распределённая обратная связь, одночастотная генерация, величина подавления боковых мод, полупроводниковый лазер. Поступила в редакцию: 25.07.2019
© , 2024