А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, М. Р. Бутаев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, И. В. Яроцкая, “Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком

А. Ю. Андреев^a, Т. А. Багаев^a, М. Р. Бутаев^bc, Н. А. Гамов^d, Е. В. Жданова^d, М. М. Зверев^db, В. И. Козловский^bc, Я. К. Скасырский^b, И. В. Яроцкая^a

^a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^d Московский технологический университет «МИРЭА», г. Москва

Аннотация: Исследован поверхностно-излучающий полупроводниковый лазер с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком. Методом осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы были выращены две отличающиеся дизайном структуры, которые содержали 10 квантовых ям и встроенное брэгговское зеркало. При импульсно-периодическом возбуждении электронным пучком (50 Гц, 250 нс) достигнута пиковая мощность 5.5 Вт на длине волны 1.062 мкм и 2.5 Вт на длине волны 1.013 мкм с полным углом расходимости не более 20 мрад.

Ключевые слова: поверхностно-излучающий полупроводниковый лазер с внешним зеркалом, структура InGaAs/AlGaAs, электронный пучок.

Поступила в редакцию: 23.05.2019