Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур

Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики суперлюминесцентных диодов (СЛД) ближнего ИК диапазона спектра на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур в системе GaAs/InGaAs. Показано, что вариация состава активных слоёв и длины поперечно-одномодового активного канала этих СЛД позволяют изменять в широких пределах достижимую выходную оптическую мощность и ширину спектра излучения, сохраняя при этом его симметричную колоколообразную форму. Исследованные СЛД обладают более "чистой" автокорреляционной функцией интенсивности излучения, более слабой зависимостью ширины спектра излучения от тока инжекции и большей поляризацией излучения, чем широко распространённые СЛД на основе однослойных наногетероструктур, имеющие те же ширины спектра.