Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Двойной интегрированный лазер-тиристор

Т. А. Багаев^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^a, Ю. В. Курнявко^a, А. В. Лобинцов^a, А. И. Данилов^a, С. М. Сапожников^a, В. В. Кричевский^a, М. В. Зверков^a, В. П. Коняев^a, В. А. Симаков^a, С. О. Слипченко^b, А. А. Подоскин^b, Н. А. Пихтин^b

^a ОАО ««НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха», г. Москва
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Представлены результаты сравнительных экспериментальных исследований полупроводникового лазера с различным числом излучающих секций (одной и двумя), монолитно интегрированного с электронным ключом (тиристором). Показано, что функциональная интеграция лазера и тиристора в рамках одной гетероструктуры позволяет обеспечить эффективное функционирование излучателя в импульсном режиме работы (до 50 Вт), а использование вертикальной интеграции двух лазерных секций в таком приборе дополнительно повышает выходную оптическую мощность (до 90 Вт) при прочих равных условиях.

Ключевые слова: полупроводниковая гетероструктура, эпитаксиальная интеграция, интегрированный лазер-тиристор, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 06.08.2019