Аннотация:
Представлены результаты разработки технологии и исследования характеристик массивов полупроводниковых лазеров с распределенной обратной связью для спектрального диапазона 1.55 мкм. Продемонстрирована устойчивая одночастотная генерация с коэффициентом подавления боковых мод более 25 дБ. Показана возможность непрерывной перестройки длины волны генерации до 7 нм.