RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 12, страницы 1172–1174 (Mi qe17155)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза

В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs создана лазерная гетероструктура AlGaAs/GaAs/GaInAs типа зарощенная меза с длиной волны излучения 1050 нм. На основе полученной гетероструктуры изготовлены и исследованы мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм. Внутренние оптические потери лазерных диодов составили 2.4 см-1. При длине резонатора лазера 2900 мкм достигнута выходная оптическая мощность в две стороны 2.1 и 23 Вт в непрерывном и импульсном режимах генерации соответственно.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, лазерный диод, гетероструктура, МОС-гидридная эпитаксия, зарощенная меза.

Поступила в редакцию: 17.09.2019
Исправленный вариант: 02.10.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:12, 1172–1174

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024