RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 12, страницы 1132–1136 (Mi qe17164)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Подборка докладов, представленных на 7-й Всероссийской конференции по волоконной оптике ''ВКВО-2019'' (8-11 октября 2019г., Пермь) (редактор-составитель С.Л.Семенов)

Фоточувствительность эрбиевых композитных фосфоросиликатных световодов к лазерному излучению с длиной волны 193 нм

А. А. Рыбалтовскийa, С. А. Васильевb, О. В. Бутовa, О. Н. Егороваc, С. Г. Журавлевb, С. Л. Семеновb, Б. И. Галаганc, С. Е. Сверчковc, Б. И. Денкерc

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Представлены и проанализированы результаты исследований фотоиндуцированного изменения показателя преломления в сердцевине эрбиевого композитного фосфоросиликатного световода при импульсном УФ облучении на длине волны λ = 193 нм, а также при последующем термическом отжиге. Показано, что предварительное насыщение композитного световода молекулярным водородом значительно увеличивает его фоточувствительность. Анализ кинетик термического отжига позволил выявить фундаментальные различия механизмов фоточувствительности в насыщенном водородом световоде и в световоде, не подвергавшемся водородной обработке. Проведены исследования спектров начального и фотоиндуцированного поглощения фосфоросиликатного стекла. Установлено, что в УФ диапазоне наведенное поглощение определяется в основном вкладом интенсивной полосы поглощения фотоиндуцированных фосфорных электронных центров PO2 с максимумом при 4.7 эВ (λ = 260 нм).

Ключевые слова: композитный волоконный световод, фосфатное стекло, волоконная брэгговская решетка, фоточувствительность, наведенный показатель преломления, центры окраски.

Поступила в редакцию: 15.10.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:12, 1132–1136

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024