Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ

При помощи численного решения одномерных (1D) скоростных уравнений проанализирован эффект выгорания продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах. Расчёты проводились для лазеров на основе GaAs, работающих на длине волны 1.06 мкм. Показано, что уменьшение выходной мощности в результате LSHB вызвано двумя процессами – увеличением спонтанной рекомбинации и падением дифференциальной эффективности, что эквивалентно росту внутренних оптических потерь. Проанализировано влияние различных параметров лазерного чипа на величину провала. В частности, показано, что для уменьшения LSHB предпочтительно увеличивать коэффициент оптического ограничения Γ. Оценена взаимосвязь LSHB с другими механизмами уменьшения выходной мощности.