RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 3, страницы 256–258 (Mi qe17221)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Статьи, посвященные 80-летию В.С.Летохова

Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm

М. Н. Поповаa, Е. П. Чукалинаa, С. А. Климинa, М. Ч. Чуb

a Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
b Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Taiwan

Аннотация: По спектрам высокого разрешения исследованы форма и тонкая структура линий электронных f – f переходов ионов Tm3+ в многофункциональных кристаллах гранатов Y3Al5O12. Неоднородно уширенные линии имеют лоренцеву форму, что свидетельствует о доминирующем вкладе точечных дефектов в неоднородное уширение. Дефекты типа "иттрий на месте алюминия", возникающие в процессе высокотемпературного роста из расплава, обуславливают также появление спектральных спутников около основных линий.

Ключевые слова: YAG:Tm, спектроскопия высокого разрешения, форма линий, спектральные спутники.

Поступила в редакцию: 10.02.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2020, 50:3, 256–258

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024