Моделирование процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик среды от распределения температуры в активном элементе Yb:YAG

Разработана трёхмерная нестационарная модель процесса лазерного усиления с учётом зависимости теплофизических и лазерных характеристик активных сред от распределения температуры. Проведено численное моделирование процесса лазерного усиления в активных элементах двухкаскадного криогенного лазерного усилителя субджоульного класса, работающего с частотой следования импульсов до 1 кГц. Показано, что учёт температурного распределения является ключевым при расчёте криогенно охлаждаемых лазерных усилителей с мощной диодной накачкой. Определены оптимальные значения параметров излучения диодной накачки, при которых максимально достижимые энергии импульсов на выходе усилителя могут составлять 300 и 570 мДж для частот следования импульсов 1000 и 500 Гц соответственно.