Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 722

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры, активные среды лазеров

Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Исследованы лазеры на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs спектрального диапазона 1.0 – 1.1 мкм с целью оптимизации эмиттерных слоев. Проанализировано влияние толщины и состава эмиттерных слоев на вытекание излучения из волновода лазера. Показано, что при толщинах эмиттеров 0.86 – 1.24 мкм оно практически не влияет на мощность излучения лазера. Продемонстрировано влияние длины кристалла и коэффициентов отражения зеркал лазера на вытекание излучения.

Ключевые слова: лазерные диоды, спектральный диапазон 1.0 – 1.1. мкм, вытекание излучения.

Поступила в редакцию: 10.03.2020