П. А. Рябочкина, С. А. Артемов, Н. Г. Захаров, Е. В. Салтыков, К. В. Воронцов, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова, “Генерационные характеристики кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при накачке импульсным излучением Tm : LiYF4-лазера”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 727

Лазеры, активные среды лазеров

Генерационные характеристики кристаллов ZrO₂ – Y₂O₃ – Ho₂O₃ при накачке импульсным излучением Tm : LiYF₄-лазера

П. А. Рябочкина^a, С. А. Артемов^a, Н. Г. Захаров^b, Е. В. Салтыков^b, К. В. Воронцов^b, А. Н. Чабушкин^c, Е. Е. Ломонова^d

^a Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва, г. Саранск
^b ФГУП "Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ", г. Саров Нижегородской обл.
^c ООО "МЦКТ", Московская обл., Одинцовский р-н, д. Сколково
^d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Получена импульсная двухмикронная лазерная генерация на переходе ⁵I₇ → ⁵I₈ ионов Ho³⁺ кристаллов ZrO₂ – Y₂O₃ – Ho₂O₃ при резонансной накачке на уровень ⁵I₇ этих ионов излучением импульсного лазера на кристалле LiYF₄ : Tm. Эффективность преобразования излучения накачки, падающей на кристалл, в излучение лазерной генерации и дифференциальный КПД генерации при длительности импульсов 8 мс и частоте их следования 10 Гц составили 25% и 28% соответственно.

Ключевые слова: тулиевый лазер, двухмикронный спектральный диапазон, кристалл ZrO₂ – Y₂O₃ – Ho₂O₃.

Поступила в редакцию: 14.04.2020