RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 9, страницы 822–825 (Mi qe17312)

Лазеры, активные среды лазеров

Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки

Е. О. Батураa, Ю. К. Бобрецоваb, М. В. Богдановичa, Д. А. Веселовb, А. В. Григорьевa, В. Н. Дудиковa, А. М. Котa, Н. А. Пихтинb, А. Г. Рябцевa, Г. И. Рябцевa, С. О. Слипченкоb, П. В. Шпакa

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, г. Минск
b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Исследована временная динамика Yb, Er-лазера с поперечной диодной накачкой при воздействии на пассивный Co2+:MgAl2O4-затвор излучения полупроводникового импульсного модуля с интегральной плотностью потока энергии 0.15 – 0.16 Дж/см2. Показано, что с помощью внешней подсветки затвора можно изменять время задержки начала генерации и величину временного джиттера ΔTgi. Зависимость ΔTgi от интервала между моментом включения модуля подсветки и моментом генерации лазерного пика ti имеет минимум при |ti| ≈ 10 мкс. Уменьшение ΔTgi при изменении |ti| от 90 до 10 мкс свидетельствует о том, что момент появления пика генерации Yb, Er-лазера частично контролируется импульсом излучения высокостабильного полупроводникового модуля. Если же |ti| < 10 мкс, то плотность потока энергии усиленной люминесценции в резонаторе Yb, Er-лазера становится более 0.16 Дж/см2, излучение модуля подсветки уже не оказывает заметного влияния на процесс генерации иттербий-эрбиевого лазера и, как следствие, величина временного джиттера возрастает до исходного значения.

Ключевые слова: твердотельный лазер, диодная накачка, полупроводниковый лазерный модуль, пассивная модуляция добротности, джиттер импульсов.

Поступила в редакцию: 10.02.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2020, 50:9, 822–825

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024