Аннотация:
Исследована временная динамика Yb, Er-лазера с поперечной диодной накачкой при воздействии на пассивный Co2+:MgAl2O4-затвор излучения полупроводникового импульсного модуля с интегральной плотностью потока энергии 0.15 – 0.16 Дж/см2. Показано, что с помощью внешней подсветки затвора можно изменять время задержки начала генерации и величину временного джиттера ΔTgi. Зависимость ΔTgi от интервала между моментом включения модуля подсветки и моментом генерации лазерного пика ti имеет минимум при |ti| ≈ 10 мкс. Уменьшение ΔTgi при изменении |ti| от 90 до 10 мкс свидетельствует о том, что момент появления пика генерации Yb, Er-лазера частично контролируется импульсом излучения высокостабильного полупроводникового модуля. Если же |ti| < 10 мкс, то плотность потока энергии усиленной люминесценции в резонаторе Yb, Er-лазера становится более 0.16 Дж/см2, излучение модуля подсветки уже не оказывает заметного влияния на процесс генерации иттербий-эрбиевого лазера и, как следствие, величина временного джиттера возрастает до исходного значения.