Численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим многослойным волноводом на основе AlGaInAs/InP

Проведено численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим (многослойным) волноводом. Объяснены причины выбора данной конструкции гетероструктуры и то, к чему приводит выбор других соотношений слоев. Показано, как выбирать толщину активного волновода, положение активной области на волноводе и период решетки многослойного волновода.