Влияние технологии постростовой обработки и параметров лазерного излучения на длинах волн 2091 и 1064 нм на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Исследовано влияние постростовой обработки монокристаллов ZnGeP₂ (низкотемпературный отжиг, облучение быстрыми электронами, полировка рабочих поверхностей) и условий воздействия импульсно-периодическим лазерным излучением (длина волны (2091 или 1064 нм), частота следования импульсов, диаметр пучка, время экспозиции, температура образца) на порог лазерного разрушения (ПЛР) поверхностей этих кристаллов. Установлено, что термический отжиг монокристаллов ZnGeP₂ и их облучение потоком быстрых электронов, увеличивающие ПЛР на длине волны λ = 1064 нм, не приводят к изменению этого порога на λ = 2091 нм. Показано, что больший ПЛР на λ = 2091 нм имеют элементы ZnGeP₂ с меньшими оптическими потерями в спектральном диапазоне 0.7–2.5 мкм как сразу после изготовления, так и после постростовой обработки. Выявлено увеличение пороговой плотности энергии лазерного излучения в 1.5–3 раза на λ = 2091 нм при уменьшении температуры кристалла от нуля до –60 °С. Методом цифровой голографии установлен факт обратимого фотопотемнения канала распространения лазерного излучения в ZnGeP₂ в предпробойной области параметров.