RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 6, страницы 523–528 (Mi qe1757)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Зависимость выхода жесткого рентгеновского излучения из плотной плазмы от длины волны греющего сверхкороткого лазерного импульса

А. Варанавичюсa, Т. В. Власовb, Р. В. Волковc, С. А. Гавриловd, В. М. Гордиенкоc, А. Дубетисa, Э. Жеромскисa, А. Пискарскасa, А. Б. Савельев-Трофимовc, Г. Тамошаускасa

a Вильнюсский университет, физический факультет, Литва
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет
c Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
d Московский институт электронной техники (технический университет), Зеленоград

Аннотация: Впервые в рамках единого эксперимента исследовано влияние интенсивности, длительности и длины волны сверхкороткого лазерного импульса на формирование горячего электронного компонента в плотной лазерной плазме. Показано, что при длительности лазерного импульса 1 пс (либо 200 фс, но с энергетическим контрастом ~20) основным механизмом генерации горячих электронов является резонансное поглощение лазерного излучения, a температура горячих электронов Th зависит от интенсивности лазерного импульса I и длины волны λ как Th ~ (2)1/3. Замывание наноструктур пористого кремния за счет плохого контраста либо «большой» длительности (1 пс) лазерного импульса приводит к уменьшению эффективности генерации жесткого рентгеновского излучения по сравнению со случаем высоконтрастных импульсов длительностью 200 фс.

PACS: 41.50.+h, 52.50.Jm, 52.40.Nk

Поступила в редакцию: 30.12.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:6, 523–528

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024