RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 6, страницы 529–531 (Mi qe1758)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Влияние угла воздействия на эффективность образования многозарядных ионов лазерной плазмы

М. Р. Бедилов, Х. Б. Бейсембаева, Т. Г. Цой, Т. Б. Сатыбалдиев, М. С. Сабитов

Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Ташкент

Аннотация: Масс-спектрометрическим методом исследована закономерность эмиссии и характеристики многозарядных ионов плазмы, образующейся при малых углах воздействия лазерного излучения (α ~ 20°), а также при углах, соответствующих скользящему падению (α ~ 85°). Установлено, что при скользящем падении лазерного излучения на мишень эффективность образования многозарядных ионов падает по сравнению с эффективностью при α ~ 20°. Однако лазерное излучение при такой геометрии воздействия на твердое тело можно с успехом использовать для элементного анализа поверхностных слоев образца.

PACS: 52.50.Jm, 52.40.Nk

Поступила в редакцию: 12.01.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:6, 529–531

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024