О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении

Исследована динамика анизотропного локального плавления монокристаллических полупроводников при облучении мощными импульсами когерентного и некогерентного света. Полученные in situ зависимости размеров и плотности (на единицу площади) локальных областей плавления от времени интерпретируются в рамках модели существования кратковременного метастабильного состояния, характеризующегося перегревом в твердой фазе. Обсуждаются эксперименты, необходимые для окончательного ответа на вопрос о механизме обнаруженного эффекта.