Аннотация:
Зависимость модового оптического усиления от тока в InAs/InGaAs-структурах с квантовыми точками, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, получена при экспериментальном исследовании сверхнизкопороговых лазерных диодов. Рекордно малый порог инверсии при комнатной температуре составил около 13 А/см2. Предложена теоретическая модель, описывающая оптическое усиление за счет переходов между основными состояниями в квантовой точке. Эффективное сечение усиления оценено величиной ~7·10–15 cм2.