RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 8, страницы 664–668 (Mi qe1787)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Лазеры

Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель

П. Г. Елисеевa, Х. Лиb, Г. Т. Лиуb, А. Штинцb, Т. С. Ньювелb, Л. Ф. Лестерb, К. Д. Меллойb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Centre for High Technology Materials, University of New Mexico, USA

Аннотация: Зависимость модового оптического усиления от тока в InAs/InGaAs-структурах с квантовыми точками, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, получена при экспериментальном исследовании сверхнизкопороговых лазерных диодов. Рекордно малый порог инверсии при комнатной температуре составил около 13 А/см2. Предложена теоретическая модель, описывающая оптическое усиление за счет переходов между основными состояниями в квантовой точке. Эффективное сечение усиления оценено величиной ~7·10–152.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 23.03.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:8, 664–668

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024