Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 10,страницы 905

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков^a, Т. А. Багаев^a, Д. Р. Сабитов^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, А. А. Падалица^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, К. В. Бахвалов^c, Д. А. Веселов^c, А. В. Лютецкий^c, Н. А. Рудова^c, В. А. Стрелец^c, С. О. Слипченко^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучены полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Проведено сравнение экспериментально полученных образцов лазеров с нелегированными и легированными волноводными слоями. Проанализированы различия их вольт-амперных характеристик. Установлено, что снижение последовательного сопротивления и напряжения отсечки вольт-амперной характеристики позволяет отодвинуть момент начала насыщения выходной оптической мощности и увеличить КПД исследованных полупроводниковых лазеров до 70% – 72%.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, асимметричный волновод, легирование, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 22.06.2021