Аннотация:
Исследованы мощные полупроводниковые лазерные излучатели ($\lambda$ = 900–920 нм) в виде гибридных лазеров-тиристоров, представляющих собой последовательно соединенные посредством припойного контакта кристаллы тиристора и интегрированного полупроводникового лазера с тремя излучающими областями. В качестве образца для сравнения использовался монолитный лазер-тиристор с тремя излучающими областями. Выходная мощность тройного монолитно интегрированного лазера-тиристора составила $\sim$120 Вт при напряжении включения 18 В. Напряжение включения гибридного лазера-тиристора с тремя излучающими областями было равно 28 В, а выходная пиковая мощность достигала $\sim$170 Вт.