RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 11, страницы 987–991 (Mi qe17931)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа

Ю. К. Бобрецоваa, Д. А. Веселовa, А. А. Климовa, К. В. Бахваловa, В. В. Шамаховa, С. О. Слипченкоa, В. В. Андрюшкинb, Н. А. Пихтинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Национальный исследовательский университет ИТМО, г. С.-Петербург

Аннотация: Методом ввода зондирующего излучения экспериментально исследовано поглощение оптического излучения на свободных носителях заряда в слоях AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с целью определения параметра сечения поглощения в материале AlGaAs с высоким (22%) содержанием алюминия. Для исследований были изготовлены специальные образцы на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур, имитирующих лазерный волновод с легированием n-типа и концентрацией носителей заряда в диапазоне 5 × 1016 – 3 × 1017см-3. Измерены профиль легирования, состав и толщины слоев, а также исследованы температурная и спектральная зависимости коэффициента поглощения. Показано, что увеличение температуры и длины волны приводят к росту поглощения в слоях гетероструктуры.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, полупроводниковая гетероструктура, оптическое поглощение на свободных носителях, сечение поглощения.

Поступила в редакцию: 31.08.2021
Исправленный вариант: 07.10.2021


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2021, 51:11, 987–991

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024