RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 8, страницы 710–714 (Mi qe1795)

Эта публикация цитируется в 27 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Формирование конических микроструктур при импульсном лазерном испарении твердых тел

В. В. Воронов, С. И. Долгаев, С. В. Лаврищев, A. A. Лялин, А. В. Симакин, Г. А. Шафеев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследовано возникновение и развитие крупномасштабных самоорганизующихся микроструктур на поверхности монокристаллического Si и ряда других материалов (Gе, Тi) при их испарении импульсным лазерным излучением (лазер на парах меди, λ = 510.6 нм, τ = 20 нс). Формирование структур происходит при многоимпульсном лазерном воздействии (~104 импульсов с плотностью энергии 1 — 2 Дж/см2) в отсутствиe оптического пробоя среды над поверхностью мишени в диапазоне давлений 1 — 105 Па и широком диапазоне углов падения лазерного пучка на поверхность. Структуры представляют собой конусы с углом при вершине ~20 — 25°, растущие навстречу лазерному пучку. Показано, что пространственный период структур, развивающихся в процессе лазерного испарения, определяется периодом волн, возникающих на поверхности расплава, и составляет 10 — 20 мкм. Методами дифракции рентгеновского излучения установлено, что модифицированная область подложки имеет поликристаллическую структуру и состoит из кристаллитов с размерами от 40 до 70 нм в зависимости от давления окружающей атмосферы.

PACS: 42.62.Hk, 61.80.Ba, 81.10.h

Поступила в редакцию: 26.01.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:8, 710–714

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024