RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 1, страницы 57–58 (Mi qe18)

Управление параметрами лазерного излучения

Сужение диаграммы направленности мощных инжекционных лазеров с широким полосковым контактом с помощью внешнего микроселектора

В. В. Безотосный, В. П. Коняев, Н. В. Маркова, Г. Г. Харисов

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы пространственные и мощностные характеристики квантоворазмерных гетеролазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs на длине волны 940 нм. С помощью внешнего микроселектора получена близкая к однолепестковой диаграмма направленности излучения лазера с шириной полоскового контакта 50 мкм. Максимальная мощность излучения в основном лепестке диаграммы направленности, имеющем дифракционную расходимость, составила ~185 мВт. При фиксированном токе накачки мощность, содержащаяся в центральном лепестке с дифракционной расходимостью, составила 55% мощности лазера без селективного элемента.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.60.Jf, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 09.07.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:1, 54–55

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024