Е. И. Липатов, Д. Е. Генин, М. А. Шулепов, Е. Н. Тельминов, А. Д. Саввин, А. П. Елисеев, В. Г. Винс, “Сверхлюминесценция в фононном крыле спектра фотолюминесценции NV-центров в алмазе при оптической накачке на λ = 532 нм”, Квантовая электроника, 52:5 (2022), 465

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Сверхлюминесценция в фононном крыле спектра фотолюминесценции NV-центров в алмазе при оптической накачке на λ = 532 нм

Е. И. Липатов^ab, Д. Е. Генин^ab, М. А. Шулепов^ab, Е. Н. Тельминов^a, А. Д. Саввин^a, А. П. Елисеев^c, В. Г. Винс^d

^a Лаборатория квантовых информационных технологий, Национальный исследовательский Томский государственный университет
^b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
^c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
^d ООО "Велман"

Аннотация: Продемонстрирована сверхлюминесценция NV-центров с максимумом полосы на λ = 718 нм в фононном крыле спектра фотолюминесценции алмазного HPHT-образца при импульсном оптическом возбуждении на λ = 532 нм с интенсивностью 2 – 46 МВт/см². Сверхлюминесценция наблюдалась в области алмазного кристалла, содержащей 6 ppm NV-центров и 150 ppm замещающего азота, и не возникала в областях кристалла с меньшим содержанием азота. Импульс сверхлюминесценции наблюдался на переднем фронте импульса оптического возбуждении на λ = 532 нм и имел длительность 4 нс на полувысоте. Высказано предположение, что усиление фотолюминесценции NV-центров происходило за счет полного внутреннего отражения в алмазной пластине (волноводный эффект).

Ключевые слова: алмаз, лазер, сверхлюминесценция, фотолюминесценция, NV-центр, оптическая накачка.

Поступила в редакцию: 30.09.2021
Исправленный вариант: 14.01.2022