RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 6, страницы 577–579 (Mi qe18069)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов

Д. Р. Сабитовa, В. Н. Светогоровa, Ю. Л. Рябоштанa, М. А. Ладугинa, А. А. Мармалюкab, М. Г. Васильевc, А. М. Васильевc, Ю. О. Костинc, А. А. Шелякинc

a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы малогабаритные суперлюминесцентные диоды, созданные на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами. Продемонстрированы характеристики данных диодов, позволяющие применять их для создания волоконно-оптических гироскопов в температурном диапазоне –55 °С – +70 °С. Приборы показали приемлемую надежность и потенциал к дальнейшему улучшению.

Ключевые слова: суперлюминесцентный диод, квантовая яма, компенсация упругих напряжений, AlGaInAs / InP, волоконно-оптический гироскоп.

Поступила в редакцию: 03.03.2022
Исправленный вариант: 05.04.2022
Принята в печать: 05.04.2022


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2022, 52:6, 577–579

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024