Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593

Лазеры

Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

Ф. И. Зубов^a, Ю. М. Шерняков^b, Н. Ю. Гордеев^b, С. А. Минтаиров^b, Н. А. Калюжный^b, М. В. Максимов^a, Н. В. Крыжановская^c, Э. И. Моисеев^c, А. М. Надточий^c, А. Е. Жуков^c

^a Санкт-Петербургский научно-исследовательский академический университет им. Ж.И.Алферова РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», С.-Петербург

Аннотация: Исследованы лазеры различной конструкции (полосковые лазеры и лазеры с полудисковым резонатором) с квантовыми точками InGaAs, формируемыми по механизму роста, отличному от механизма Странского – Крастанова. Продемонстрирована возможность достижения лазерной генерации на основном оптическом переходе при рекордно высоких (134 – 153 см^-1) оптических потерях. По оценке, насыщенное модовое усиление составило 45 см^-1 на один слой квантовых точек, что в разы превышает значения, характерные для лазеров на квантовых точках традиционного типа.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовые точки, оптическое усиление.

Поступила в редакцию: 18.03.2022