Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)

Развит подход, направленный на исследование временной зависимости перегрева активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой апертурой (800 мкм), работающих в квазинепрерывном режиме накачки (21 А/ 1 мс/ 10 Гц), основанный на измерении динамики лазерной генерации со спектральной селекцией. Анализ спектра лазерной генерации показал, что для области фронта включения, где происходит увеличение амплитуды импульса тока, характерна максимальная скорость смещения длинноволнового края 30 нм/мс, обусловленная, как тепловыми, так и нетепловыми эффектами. Область импульса, соответствующая постоянной амплитуде тока накачки, характеризуется только тепловым смещением длинноволнового края спектра лазерной генерации со скоростью ∼1нм/мс. Полученный экспериментальный перегрев для области постоянной амплитуды составил 2.78°С, что согласуется с расчетным перегревом 3.08°С для исследуемых условий накачки.